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    安防芯片之(1)——CCD传感器与CMOS区别


    来源:    发布时间:2014-3-6 14:56:22   浏览点击数:2711

         CCD传感器是一种新型光电转换器件,它能存储由光产生的信号电荷。当对它施加特定时序的脉冲时,其存储的信号电荷便可在CCD内作定向传输而实现自扫描。它主要由光敏单元、输入结构和输出结构等组成。它具有光电转换、信息存贮和延时等功能,而且集成度高、功耗小,已经在摄像、信号处理和存贮3大领域中得到广泛的应用,尤其是在图像传感器应用方面取得令人瞩目的发展。CCD有面阵和线阵之分,面阵是把CCD像素排成1个平面的器件;而线阵是把CCD像素排成1直线的器件。由于在军事领域主要用的是面阵CCD

           CCD是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。每个像元就是一个MOS电容器(大多为光敏二极管),它是在P 型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000A~1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅),在衬底和金属电极间加上1个偏置电压,就构成1个MOS电容器。当有1束光线投射到MOS电容器上时,光子穿过透明电极及氧化层,进入P型Si衬底,衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子-空穴对,电子-空穴对在外加电场的作用下,分别向电极的两端移动,这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。

          CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电,不像由二极管组成的CCD,CMOS电路几乎没有静态电量消耗,只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右,这有助于改善人们心目中数码相机是" 电老虎"的不良印象。CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大,如果抑制得不好就十分容易出现杂点。

      此外,CMOS与CCD的图像数据扫描方法有很大的差别。例如,如果分辨率为300万像素,那么CCD传感器可连续扫描300万个电荷,扫描的方法非常简单,就好像把水桶从一个人传给另一个人,并且只有在一个数据扫描完成之后才能将信号放大。CMOS传感器的每个像素都有一个将电荷转化为电子信号的放大器。因此,CMOS传感器可以在每个像素基础上进行信号放大,采用这种方法可节省任何无效的传输操作,所以只需少量能量消耗就可以进行快速数据扫描,同时噪音也有所降低。

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索尼CMOS芯片:IMX415、IMX335、IMX225、IMX323、IMX291、IMX577、IMX482、IMX715、IMX334、IMX385、IMX307、IMX675、IMX678、IMX290、IMX485、IMX585、ISX031、ISX017、IMX123、IMX347、IMX327、IMX515等;创惟GL852G-HHY60、GL850G-HHY22、GL857L-HHY20等;东芝TCB001HQ、TCB503HQ等;凌阳SPHE8202R-D、SPHE8202VGQ、SPHE8202RQ-D等;长电CJ78L18、CJ3400、CJ3401、CJ431D等;UTC系列CD7377CZ、CD7388、TDA7265等;MC34063AG、KIA7808API、 AP0531T3A等;芯海CS1237-S0、CS3855EO、CS32F031K8V6-RA等;华普微HP203N、HPS700A-ZM等各品牌型号
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